国产闪存跳级式发展明年追上232层与三星技术差距仅有1年

发布时间：2022-07-27 23:17:22 所属栏目：动态来源：互联网

导读：美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。在闪存行业，国内的厂商长江存储也在奋起追赶，而且他们采取的策略不同，是跳级式发展，中

　　美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。

　　在闪存行业，国内的厂商长江存储也在奋起追赶，而且他们采取的策略不同，是跳级式发展，中间会越过一些过渡性的闪存，量产64层闪存之后就进入了128层，跳过了中间的96层闪存。

　　国产闪存跳级式发展明年追上232层与三星技术差距仅有1年

目前长江存储生产的闪存主力是128层，今年下半年将进一步提升到192层，200+层以上的闪存也在开发中，最快2023年底就能看到232层闪存，慢一点的话也会在2024年搞定。

　　如果明年看到国产的232层闪存，那意味着从技术上来说国产闪存与三星、美光、SK海力士等公司的差距只有1年左右，提升的非常快。

　　当然，技术差距缩短是一方面，国产闪存目前主要的问题还是产能不足，全球份额也就5%左右，三星的份额超过35%，恺侠、收购Intel闪存业务的SK海力士两家大约也在20%上下，未来几年中提升产能、抢占市场份额依然是国产闪存努力的方向。

（编辑：扬州站长网）

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国产闪存跳级式发展明年追上232层 与三星技术差距仅有1年

国产闪存跳级式发展明年追上232层与三星技术差距仅有1年